Henry Joseph Round 1907 observée la première fois que les substances inorganiques sous l'influence de la tension appliquée à une émission de lumière sont capables. 1921 a découvert des physicien russe Oleg Vladimirovich Losev le Round-effet et a examiné de nouveau le plus précisément de 1927 à 1942, car il a soupçonné que le phénomène d'inversion de l'Chen Einstein, l'effet photo-électrique est à interpréter. George Destriau découvert de sulfure de zinc 1935 à un phénomène similaire d'éclairage et a, selon le physicien russe de Lossew lumière.

Par la suite, a pu à partir de 1951 par le développement du transistor une avancée scientifique dans la physique des semi-conducteurs sont atteints. Lire la suite, il a été possible, le processus d'émission de lumière élucider. Tout d'abord, mais avec en plus des expériences de sulfure de zinc. De succès cependant, les recherches sur les semi-conducteurs ont reconnu en tant que III-V-Verbindungshalbleitern. A partir de 1957 se concentrait sur l'exploration de la lumière sur toute la production de semi-conducteurs. En particulier, les émissions de lumière dans le visible, sur la base d'arséniure de gallium (GaAs) et de gallium (GaP) était de l'intérêt.

Autres sources d'écrire l'invention de la diode électroluminescente mais Nick Holonyak à dater et à 1962.

Au cours du développement, le premier depuis 1962 LED, la lumière a été d'environ trois ordres de grandeur de <0,1 lumens / watt à 100 lumens / watt accrue. Cette principalement dans les grands sauts de développement a eu lieu, sauf reposent toujours sur l'amélioration de la qualité des couches de semi-conducteurs (faible densité de défaut, moins de pollution) sur l'utilisation des structures de semi-conducteurs Hétéro, niederdimensionalen structures (quantum pots), des substrats transparents et de l'amélioration de la lumière Auskopplung. Base de GaAs / Alas (année 1960, rouge-jaune), de nouveaux matériaux semi-conducteurs comme GaP (années 1970, LED verte) et GaN (1980er/1990er année, vert et UV) conçu de sorte qu'il est aujourd'hui dans presque tous les voyants de couleurs spectre (à une lacune dans le vert-jaune-secteur) existe. En particulier, après les semi-conducteurs, les ondes courtes dans le domaine de la lumière (bleue, UV) de produire plus efficacement, a longtemps été recherché. Principal a longtemps été le p-une dotation de cadres appropriés breitlückigen semi-conducteurs, pour la première fois 1988 dans le groupe de GaN Akasaki réussi au Japon, puis en 1992, Shuji Nakamura avec une autre approche. Ce dernier a conduit à la première LED bleue commerciale sur GaN de base, qui, désormais élargie à blanc et vert et bleu LED laser, depuis 1993, Nichia de distribution. Jusque-là basée sur LED bleue sur le matériel de carbure de silicium, de semi-conducteurs comme indirects pour l'efficacité d'émission de lumière est de nature à mal.

L'amélioration de l'efficacité et les coûts de fabrication des semi-conducteurs est l'objectif de l'évolution. Actuellement, particulièrement travaillé, à la fois transparente et supports de matériaux semi-conducteurs et câbles électriques transparentes fabriquer. Le Bond de fils (fils électriques de la puce de semi-conducteurs) couvrent une partie de la surface active à partir de.
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This entry was posted on Vendredi, février 20th, 2009 at 11:31.
Categories: Général.

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