Joseph Henry Round nel 1907, in primo luogo osservato che le sostanze inorganiche sotto l'influenza di una tensione applicata ad una emissione di luce compatibile. 1921 scoprì il fisico russo Oleg Vladimirovich Losev Round l'effetto di nuovo, e lo guardò dal 1927 al 1942 proprio perché si sospetta che il fenomeno come una inversione di Einstein, effetto fotoelettrico è da interpretare. George Destriau scoperto nel 1935 un simile fenomeno luminoso di solfuro di zinco e chiamato dopo il fisico russo Lossew di luce.
Nel periodo di follow-up è stato dal 1951 con lo sviluppo di transistor, un progresso scientifico nella fisica dei semiconduttori può essere raggiunto. Successivamente, è stato possibile, il processo di emissione della luce illumini. Inizialmente, tuttavia, continuare a sperimentare con solfuro di zinco. Il successo, tuttavia, la ricerca sui semiconduttori riconosciuto come il composti III-V. Nel 1957, incentrato sullo studio della luce su tutta la generazione di semiconduttori. Soprattutto l'emissione di luce nello spettro visibile basate su arseniuro di gallio (GaAs) e gallio (GAP) è stato importante.
Altre fonti attribuiscono l'invenzione del LED, tuttavia Nick Holonyak e datato al 1962.
Nel corso di sviluppo, dal momento che il primo LED nel 1962, era la luce di uscita di circa tre ordini di grandezza da <0,1 lumen / watt a> 100 lumen / watt aumento. Questi prevalentemente nelle grandi salti si è verificato, ad eccezione di sviluppo passi sulla base del miglioramento della qualità della strati semiconduttori (densità inferiore difetto, un minor numero di impurità), su l'uso di eterostrutture di semiconduttori, basso strutture tridimensionali (quantistica pentole), substrati trasparente e la luce migliore outcoupling. Basato su GaAs / Alas (1960, rosso-giallo), i nuovi materiali semiconduttori, come Gap (1970, LED verde) e GaN (1980er/1990er anni, il verde ai raggi UV) è stato sviluppato in modo tale che oggi quasi tutti i LED nei colori del spettro (fino ad un divario nella zona verde-giallo) sono. Specialmente dopo semiconduttori, alla luce della gamma corte (blu, UV) produrre in modo efficace, è stato a lungo cercato. Problema principale è stato un lungo periodo di tempo, il doping di un P-frame da adeguate alti breitlückigen semiconduttori per la prima volta nel 1988, il gruppo di GaN Akasaki riuscita in Giappone, poi nel 1992 a Shuji Nakamura con un altro approccio. Quest'ultimo ha portato alla prima commerciali LED blu sul GaN-based, che è ora esteso a LED bianchi e verdi e blu laser, dal 1993, distribuito da Nichia. Fino ad allora LED blu sulla base di carburo di silicio è un materiale che indiretta di semiconduttori per l'efficienza luminosa è poco adatto.
Aumentare l'efficienza e la riduzione dei costi di produzione di semiconduttori è l'obiettivo di ulteriori sviluppi. Attualmente, la maggior parte delle iniziative, sia trasparente substrati semiconduttori e materiali, nonché le linee di collegamento elettrico trasparente. Il legame fili (linee elettriche per il chip semiconduttori) per coprire una porzione della superficie attiva.
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